场效应管工作原理
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2025-03-09 11:19:08
导读 场效应管（Field-Effect Transistor, FET）是一种重要的半导体器件，其工作原理与传统的双极型晶体管不同，主要通过电压来控制电流，具有
场效应管（Field-Effect Transistor, FET）是一种重要的半导体器件，其工作原理与传统的双极型晶体管不同，主要通过电压来控制电流，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等优点，在集成电路中得到了广泛应用。
场效应管的基本结构包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G)，它们分别对应于电路中的输入端、输出端和控制端。源极和漏极之间存在一个导电沟道，这个沟道的电阻由栅极电压控制。当栅极对源极施加正向电压时，会在栅极下方形成一个反型层，从而在源极和漏极之间产生一个导电沟道，使电流能够从源极流向漏极；反之，若栅极电压为零或负，则无法形成足够的反型层，导电沟道消失，电流被切断。因此，通过改变栅极电压可以精确地控制流过场效应管的电流大小，实现信号放大或开关功能。
总之，场效应管的工作原理是基于电压控制电流的机制，具有高输入阻抗和低噪声特性，广泛应用于各种电子设备中。
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