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生活知识 2024-01-01 22:56:02
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2024-01-01 22:56:02

大家好,我是小典,我来为大家解答以上问题。gtowizard官网,gto,很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO

2、GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题

3、GTO 电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低

4、MOSFET 开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置

本文到此讲解完毕了,希望对大家有帮助。

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