SiliconMotion详细介绍了即将推出的SM2508Gen5SSD控制器
SiliconMotion详细介绍了即将推出的SM2508Gen5SSD控制器，该控制器将与Phison的E26竞争，瞄准高端存储设备。
慧荣(SiliconMotion)与群联(Phison)合作，配备SM2508“Gen5”SSD控制器，速度高达14.5GB/s，功耗低于3.5W
继之前在FMS2023(闪存峰会)上发布公告后，慧荣科技在MTS“内存趋势峰会”2024活动期间公布了其即将推出的SM2508Gen5SSD控制器的新数据点。该公司强调了我们在下面列出的更多细节。
首先，自上次我们听说下一代控制器以来，SiliconMotion似乎已经将额定传输速度提高了一点。传输速度现在的额定读取速度高达14.5GB/s，写入速度高达14.0GB/s，而之前的速度为14GB/s(读取/写入)。该控制器仍提供高达250万次IOPS，并支持3DTLC/QLCNAND闪存。
关于SiliconMotion的新型SM2508控制器的最大话题之一是它的运行TDP仅为3.5W，这可能会导致更高效的PCIeGen5SSD设计。这略低于群联E26控制器的5W额定功耗，并且应该会导致设计温度稍低并减少热节流实例。
我们甚至可能会看到一些更纤薄的被动冷却解决方案，因为群联E26高端设计大多是主动冷却并使用非常大的散热器，其中一些来自Corsair的变体甚至包括液体冷却扭曲。然而，我们也看到了威刚的ProjectNeostormGen5SSD采用水冷解决方案，并且基于SM2508控制器。
另一件重要的事情是，SiliconMotionSM2508控制器将支持高达8通道DRAM，以3600MT/s的速度运行，这比PhisonE26控制器上的8通道2400MT/sDRAM有了很大的提升。该控制器还配备一个基于ARM的CPU，具有4个运行频率为1.25GHz的Cortex-R8内核和一个Cortex-M0内核。SSD控制器基于台积电的全新6纳米EUV工艺构建，与12纳米设计相比，功耗降低高达45%。
目前，SiliconMotion预计PCIeGen5SSD设备将在2025年得到广泛采用，因为它预计该驱动器将在来年获得更高的主流和发烧友关注。此外还将推出主流SM2504XTGen5SSD控制器，此前预计该控制器将在今年年底推出，但预计会在2024年广泛上市。